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NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
1.4 Quick reference data
Table 2. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
MMBZ12VDL
-
-
8.5
V
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
-
-
12.8
V
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
-
-
14.5
V
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
-
-
17
V
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
-
-
22
V
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
-
-
26
V
MMBZ33VCL/DG
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
MMBZ12VDL
-
110
140
pF
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
-
85
105
pF
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
-
70
90
pF
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
-
65
80
pF
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
-
48
60
pF
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
-
45
55
pF
MMBZ33VCL/DG
2. Pinning information
Table 3.
Pinning
Pin
1
2
3
Description
anode (diode 1)
anode (diode 2)
common cathode
Simpli?ed outline
3
1
2
Graphic symbol
3
1
2
006aaa150
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
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